首页新闻中心功率半导体用SiC外延晶圆6英寸品在日本的“半导体 of the Year 2014”中荣获最高奖

2014年06月11日

昭和电工株式会社（社长：市川 秀夫）的功率半导体材料6英寸碳化硅（SiC）外延晶圆（以下简称“SiC外延晶圆”）在由日本半导体产业报刊主办的“半导体 of the Year 2014”半导体电子材料部门中荣获了最高奖。

本奖项是在半导体设备、半导体制造装置、半导体用电子材料三个部门，以开发的新颖性、量产体制的构建、对社会的影响、将来性等为标准，从2013年4月至2014年3月间发表的半导体相关产品中分别选定了最高奖1项和优秀奖2项。

本SiC外延晶圆的功率半导体具有优良的耐高温性，耐电压性的特点，也能大幅度地削减因热导致的电力损失。由于与电力控制用组件的小型化、节能化关联，因此已正在推进数据中心的服务器电源和新能源的分散型电源、地铁车辆上的装载。本公司的6英寸SiC外延晶圆抑制结晶缺陷可达到4英寸传统产品的同等水平，并在品质与成本两方面上均确保用于车载用逆变器的大电流容量SiC设备上的必要性能。

2020年前后开始面向混合动力车和电动汽车的SiC功率半导体的需求增加也令人期待。本公司将一如既往地致力于SiC外延晶圆的进一步品质提升和生产能力增强，为SiC功率半导体的普及做贡献。

【6英寸品 SiC外延晶圆】

【获奖的事业开发中心 功率半导体项目组】

※ 本特刊内容转载自本社的《News Release》。    

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